Оперативная память Характеристики Радиатор Samsung

Оперативная память SODIMM, 3200, 16 GB...

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных. Захватывающ..

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных. Захватывающ..

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных. Захватывающ..

Основные характеристики памяти красноречивы: тактовая частота равна 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 МБ/с. Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE] соответствует типу DDR4. Напряжение питания модуля – 1.2 В. Устройство произведено с использованием зеленого текстолита...