Оперативная память RAS to CAS Delay (tRCD) 0 5 10 11 15 20

Модуль памяти Kingston KVR16LR11D4/16 имеет форм-фактор DIMM с 240 независимыми контактами, 36 чипами и разработан для применения в настольных ПК. ОЗУ обладает объемом 16 Гб, что позволит наслаждаться даже самыми продвинутыми компьютерными играми и программами, обеспечивая их быстродействие. Представленное устройство базируется на DDR3L, которая гарантирует высокую частоту работы (1600 МГц) и отличается крайне малым потребление электроэнергии. Ко..

Модуль памяти Kingston KVR16LS11S6/2 представляет собой ОЗУ со скоростью передачи/получения информации 12800 Мб/с, которое имеет форм-фактор SODIMM с 204 независимыми контактными площадками и 4 чипами, рассчитанное на работу с информацией в ноутбуках. Базирование на памяти типа DDR3L обеспечивает рабочую частоту 1.6 ГГц и экономичность энергопотребления. Устройство обладает объемом 2 Гб, что отлично подойдет для работы с программами и приложениям..

Модуль памяти AMD R532G1601U1S-UO - это недорогое, надежное ОЗУ, которое обладает 2 Гб оперативной памяти и отлично подойдет для выполнения повседневной работы со стандартными программами и приложениями. Представленное устройство принадлежит к DDR3-типу, разработано в соответствии со стандартом DIMM, имеет 240 независимых контактных площадок и рассчитано на применение в офисных или домашних настольных ПК. Рабочая частота составляет 1600 МГц. Проц..

Модуль памяти Kingston KVR21S15S8/4 разработан на основе памяти типа DDR четвертого поколения, осуществляет свою работу на высокой частоте 2133 МГц при пониженном расходе энергоресурсов и обладает 4 Гб оперативной памяти, что предоставляет производительность в программах и приложениях. Представленное устройство соответствует стандарту SODIMM, имеет 260 независимых контактных площадок, 8 чипов и предназначено для эксплуатации в ноутбуках. Процесс ..

Модуль памяти Kingston KVR667D2S5/2G имеет традиционный, для установки в ноутбуки, форм-фактор SODIMM с 200 контактными площадками и 16 чипами. Устройство произведено на основе памяти типа DDR второго поколения, что предоставляет рабочую частоту 667 МГц и экономичное потребление энергоресурсов. Объем ОЗУ 2 Гб обеспечит производительную работу со стандартными программами и приложениями или позволит существенно увеличить уже имеющуюся оперативную п..

СОЗДАНО ДЛЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНОГО РАЗГОНА Модуль памяти VENGEANCE LPX разработан для высокоэффективного разгона процессора. Теплоотвод выполнен из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла, а индивидуально разрабатываемая высокопроизводительная печатная плата способствует более эффективному распределению тепла и обеспечивает обширные возможности для разгона. Каждая интегральная микросхема проходит индивидуальный отбор для определения потенциаль..