Оперативная память RAS to CAS Delay (tRCD) 0 9 10 11 20

Модуль памяти Kingston KVR16LS11S6/2 представляет собой ОЗУ со скоростью передачи/получения информации 12800 Мб/с, которое имеет форм-фактор SODIMM с 204 независимыми контактными площадками и 4 чипами, рассчитанное на работу с информацией в ноутбуках. Базирование на памяти типа DDR3L обеспечивает рабочую частоту 1.6 ГГц и экономичность энергопотребления. Устройство обладает объемом 2 Гб, что отлично подойдет для работы с программами и приложениям..

СОЗДАНО ДЛЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНОГО РАЗГОНА Модуль памяти VENGEANCE LPX разработан для высокоэффективного разгона процессора. Теплоотвод выполнен из чистого алюминия, что ускоряет рассеяние тепла, а индивидуально разрабатываемая высокопроизводительная печатная плата способствует более эффективному распределению тепла и обеспечивает обширные возможности для разгона. Каждая интегральная микросхема проходит индивидуальный отбор для определения потенциаль..